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    단결정 이종 2차원 물질의 애피택셜 성장 방법 및 적층 구조체(a method for epitaxial growth of si…

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    발명의명칭 단결정 이종 2차원 물질의 애피택셜 성장 방법 및 적층 구조체(a method for epitaxial growth of single crystalline heterogeneous 2d materials and stacked structure)
    출원인 한국과학기술연구원
    발명자 김수민
    출원번호 2019-0028426
    출원일자 2019.03.12
    출원/등록 출원
    대분류 고분자소재
    중분류 바이오 기능 고분자소재
    소분류 의료용 고분자

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